抽象。 第节: 我们表现出高效、 低阈值 InAs 量子点激光器上外延生长的轴上 (001) 差距/硅衬底上用分子束外延。电子窜对比成像测量显示线程的位错密度的 7.3 × 106 cm−2 从差距/si 优化 GaAs 模板。高品质砷化镓模板启用作为劈开量子点激光器实现室温连续波 (CW) 阈值电流的 9.5 mA,阈值电流...
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编译者:petrel发布时间:2017-9-30点击量:783 来源栏目:光电信息
抽象。 第节: 我们表现出高效、 低阈值 InAs 量子点激光器上外延生长的轴上 (001) 差距/硅衬底上用分子束外延。电子窜对比成像测量显示线程的位错密度的 7.3 × 106 cm−2 从差距/si 优化 GaAs 模板。高品质砷化镓模板启用作为劈开量子点激光器实现室温连续波 (CW) 阈值电流的 9.5 mA,阈值电流...