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编译服务: 光电情报网信息监测服务平台 编译者: husisi 编译时间: 2022-7-1 点击量: 6

6月30日,三星电子正式宣布,基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT, 简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。

三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示:“一直以来,三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如:三星的第一个High-K Metal Gate (HKMG) 工艺、FinFET 以及 EUV 等。三星希望通过率先采用3nm工艺的‘多桥-通道场效应晶体管’,将继续保持半导体行业前沿地位。同时,三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新,并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”

据了解,3nm GAA 技术采用了更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA 技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。

此外,GAA 的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO) 非常有利,有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比,第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。

任谁也没想到,如今2022年转眼已经过去一半,台积电3nm量产的消息迟迟未至,却让三星抢了先。显然,这对于台积电来说恐怕是不愿看到的一件事情。

对此,有网友表示:“希望三星可以给台积电一点压力,现在台积电几乎没有什么对手,接连不断的涨价太随意了,跟儿戏一样,但厂商都不敢得罪台积电。别说普通厂商,就是苹果现在离开台积电也玩不转,这就是实力,没办法的事情。”

根据TrendForce 的数据,今年第一季度,台积电以53.6%的全球代工市场份额位居第一,三星以16.3%的份额紧随其后。虽然还难以追赶台积电的步伐,但也不得不承认三星在芯片领域确实很优秀。

 

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