中科大龙世兵&华中科大薛堪豪团队Adv. Sci.:用于日盲成像的超高性能非晶Ga2O3光电探测器阵列 ? . 木文韬 18分钟前 11浏览 引言 由于光电探测器(PDs)、发光二极管等光电器件在现代工农业领域的广泛应用,近年来引起了人们的广泛关注。随着BN、AlxGa 1-x N、Ga 2 O 3 和SiC等新兴宽禁带半导体的发展,日盲光电器件(SBPDs)由于具有优异的辐射硬度、高的热稳定性和化学稳定性,以及在日盲区的高效吸收。在这些材料中,Ga 2 O 3 的吸收截止波长在280nm以下,几乎涵盖了整个日盲区的范围。这些特殊的性能使Ga 2 O 3 成为SBPDs的候选材料。最近,基于不同类型的Ga 2 O 3 ?PDs的研究取得了重大突破。P型半导体,如GaN和NiO,被用来与Ga 2 O 3 形成p-n异质结,以实现光检测的用途。然而,关于大面积Ga 2 O 3 ?PD阵列用于日盲成像的报道很少。大面积Ga 2 O 3 ?PD图像传感器阵列的关键挑战在于难...