2021年09月24日 中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转 近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然?电子学》上( Nature Electronics 2021, 4, 645–652)。这是中国科大首次以第一作者单位在电子器件领域知名期刊Nature Electronics上发表研究论文。半导体p-n结具有独特的整流特性,是众多电子元器件的基本构成单元,基于此所构建的传统固态光电探测器(solid-state photodetector)可将光信号捕获并转换为输出电信号,被广泛应用于成像、传感、探测等领域。然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝...