点击左上角"MDPI开放科学"关注我们,为您推送更多最新研究。 文章导读 随着大数据、人工智能 (Artificial Intelligence, AI)、5G/6G、云计算与云存储等新兴技术的快速发展,数据呈爆炸式增长,推动了存储在大容量、高性能和低功耗等方面的需求,传统存储技术已不适应当前高集成度、低功耗、快速集成电路技术的发展,以与非 (NAND) 闪存为代表的非易失性存储 (Non-Volatile Memory, NVM) 成为当前研究热点,已被广泛应用在计算、医疗、电力、车载、工控、军事、航空航天等诸多领域。 随着半导体工艺制程的极致化,多级存储 (Multi-level Cell, MLC) 技术的使用,使得存储容量提升的同时存储可靠性急剧下降。具体来说,MLC NAND闪存于其高密度和多级存储单元的特性,容易受到诸如位移、噪声和退化等因素的影响,导致数据传输中出现误码率增加的问题。这种误码率增加可能导致数据丢失或损坏,降低系统的可靠性和性能。 因此,如何提高高密度存储系统的可靠性是一个亟待解决的问题。来自金陵科技学院的孔令军团队以及中国科学院微电子研究所的刘海洋在 En...